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美日韩存储全跳水,三星18倍财报为何仍未超“预期”?A股材料、设备、算力芯片走强

来源:搜狐新闻
美日韩存储全跳水,三星18倍财报为何仍未超“预期”?A股材料、设备、算力芯片走强

7月7日,A股存储芯片受外围市场拖累出现回调,但上游半导体设备及材料硅片板块表现不俗,强势上涨。

截至当天10:05,有研硅片以20cm涨停报收,有研新材实现10cm涨停,上海合晶涨幅达到12.85%,沪硅产业上涨幅度超8%。寒武纪、芯源微、立昂微、海光信息等股涨超4%,中芯国际、盛美上海、江丰电子等也有超过3%的涨幅。半导体设备ETF招商(561980)盘中一度上涨1.58%,连续两个交易日净流入金额达到1.32亿元,近10个交易日累计吸纳资金超过22亿元,基金规模已达71.22亿元。

就消息层面而言,财通证券提到,今年5月中上旬,全球硅片龙头企业信越化学、SUMCO、环球晶圆相继实施年内第二轮提价。12英寸常规硅片涨幅在5%到8%之间,而针对AI/HPC场景的高端专用硅片则上调了18%至22%。年内两轮提价累加,硅片价格整体上涨超过15%。

【三星财报数据未达市场预期,美日韩存储芯片价格集体下滑】

在国际市场上,受三星公司财报影响,日韩股市开盘即走低,韩国KOSPI指数跌幅超过4%,三星电子股价开盘后进一步下跌超过7%,SK海力士也出现超6%的跌幅。日经225指数也下挫0.84%。在美国股市收盘后,存储芯片板块普遍下跌,闪迪股价跌幅超2%,美光科技、西部数据、希捷科技等也下跌超1%。

市场普遍将海内外存储芯片价格的显著下滑归因于三星公司公布的财报数据。

7月7日上午,三星电子发布了第二季度业绩预览,预计该季度销售额为171.00万亿韩元,同比增长129%;营业利润预计达到89.40万亿韩元,同比增幅为1810%。

根据伦敦证券交易所集团(LSEG)整理的分析师预测,三星Q2营业利润的预估值为86万亿韩元。部分券商给出的预测数字高达90万亿韩元,基于此,市场解读为三星的业绩预告未能让市场完全满意。

财报披露的信息显示,三星预计到2026年全年的营业利润能达到300万亿韩元(约合2000亿美元),这一数字将超过公司进入半导体领域40年来的累计盈利总和。这也是三星连续第三个季度创下单季度营业利润的历史最高纪录。

粗略计算可知,三星第二季度平均每天的净盈利约为9824亿韩元,折合人民币约43.6亿元。公司正推动第三季度DRAM价格上调至20%,这延续了第一季度上涨90%、第二季度预计上涨50-60%的良好态势,反映出三星对持续的市场短缺和盈利能力的坚定信心。

财报中的盈利预期与公司信心,直接得益于内存产品价格的稳步提升。花旗研究在上周公布的数据显示,Q2DRAM和NAND的平均售价环比分别上涨了44%和53%。野村证券近期的一份报告预测,在消费级存储产品以及传统和AI数据中心芯片需求增长的推动下,Q3大宗DRAM价格环比将上涨24%,NAND价格也将提升25%。

这场内存价格的剧烈波动,直接带动了三家主要内存制造商股价的上涨。今年以来,三星电子、SK海力士和美光科技股价分别上涨了158%、273%和242%,这三家公司目前的市值均已突破1万亿美元大关。

图:全球存储市场季度规模变化(亿美元)

二、【全球存储产业积极扩充产能,上游各类设备需求旺盛】

目前韩国存储企业正实施大规模的扩产计划,其中三星与SK海力士合计的投资额约4755万亿韩元(折合超过3万亿美元)。

据国泰海通资讯,6月29日,三星电子宣布一项长达10-15年的重大投资计划,总额高达4755万亿韩元(约合3万亿美元),投资重点放在半导体相关领域,包括平泽、龙仁半导体产业集群、光州新半导体fab/西南部新fab等地区。

SK集团方面也宣布,将执行总规模1100万亿韩元的半导体投资方案,原计划到2045年完成的龙仁半导体集群建设将提前12年实施,同时加快DRAM、NAND的扩产步伐。具体而言,龙仁项目投资约600万亿韩元,清州NAND扩产投资约100万亿韩元,韩国西南部新建半导体产业集群投资约400万亿韩元,旨在应对人工智能驱动下存储芯片需求的快速增长。

美光公司也投入90亿美元用于扩建位于日本西部的芯片工厂。依照美光财报数据,美光26FYQ4资本支出约为100亿美元,预计26FY全年资本支出总额为

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