存储三巨头合谋制造“内存末日”！三星、SK海力士、美光被告了

快科技6月29日刊文，信息显示，三星集团、SK海力士以及美光科技三家公司，于6月25日遭遇集体诉讼，原告方约翰·特里诺，为近年购买含DRAM产品的个人与企业代表。诉讼指控这三家机构合谋操控DRAM市场价格，鼓吹存在所谓的“内存末日”。诉讼方称，三家企业凭借在全球DRAM市场的绝对主导权，借由向HBM内存转型的说辞，协同削减DDR3和DDR4等常规内存的产量，人为制造供应紧缺的局面。诉讼的要点在于HBM内存对传统DRAM产能的挤压影响。HBM内存芯片，其物理尺寸比标准的DDR内存芯片大得多，单颗HBM3E DRAM芯片的面积大约是DDR芯片的两倍。这表明，每生产一枚HBM芯片，会耗费两倍的晶圆面积。预计到2026年，HBM将占全球DRAM晶圆总产能的约25%，而HBM的需求正以每年70%的速度增长。虽然全球DRAM晶圆总产能预计在2026年将增加14%，但分配给传统DRAM的产能仅增10%，两者之间的差额直接造成消费级内存的供应不足。诉讼认为，三家公司本可以同步扩大传统DRAM的产量，以填补这一缺口，却选择将更多的产能倾斜至利润更高的HBM，形成事实上的联合减产。这一联合行动的直接后果是，DRAM价格在过去四年中暴涨了约700%。苹果公司近期全面提高iPad和Mac系列产品的售价，就是价格传导的典型例证，同时这一事件也被诉讼列为触发诉讼的原因之一。诉讼还提及了这三家公司过去的不法记录。2005年，三星公司就因DRAM价格操控的指控，向美国司法部认罪，并接受了3亿美元的刑事处罚，这成为美国反垄断史上第二重的罚款。同年，SK海力士也认罪，并被罚1.85亿美元。再加上尔必达公司的罚款，这一系列案件的总罚金额达到了7.31亿美元，众多高管也因此被判入狱。原告方认为，三家公司当年就曾通过协调产量和报价来操纵市场，如今他们只是将同样的手法，伪装成“HBM转型”的新外衣。从可预见的未来看，HBM对传统DRAM产能的吸收仍将继续。三巨头在HBM领域的垄断地位，也使它们有能力继续掌握产能分配的节奏。这场诉讼能否改变存储市场的供需形势，目前尚不明朗。