伊诺菲申请存储器件及其制作方法专利，有效降低器件的工作电压

国家知识产权局的信息披露了伊诺菲（苏州）科技有限公司提交的一项专利申请。该专利的名称为“一种存储器件及其制作方法”，公开号是CN122294505A，申请时间定格在2026年5月。专利摘要部分阐明，本发明属于半导体制造技术范畴，其核心在于提出一种存储器件和对应的制作方法。具体实施时，包含III族氮化物与共掺杂金属的复合功能层被采用，并且借助磁控溅射技术，在常温环境下直接成膜。功能层在生长阶段内部会自行形成恰当的微观结构与缺陷分布状态。得益于此，器件即便不需要额外的电成型处理，依然能够达成稳定的阻态转换功能。这一特性直接导致器件工作电压的有效降低，并且在小尺寸情况下，器件的工作可靠性和状态一致性得到显著增强。采用常温磁控溅射的制备手段，使得整个器件的制造无需经历高温沉积或是高温退火的环节。工艺温度的严格把控，能够满足CMOS后道工艺所要求的热预算限制，从而促成与逻辑电路的三维单片集成。这一过程在精简制备流程、减少工艺复杂程度之外，还成功降低了生产成本，并提高了集成密度。声明：市场存在固有风险，投资决策需审慎对待。本文系AI基于第三方数据编写而成，仅作为参考之用，并非个人投资建议的来源。信息源自市场资讯。