全球头三大晶圆代工厂商在下一代顶尖光刻机的引入策略上，显露了各自不同的商业考量。
一台High-NA EUV光刻机价格逼近4亿美元，究竟何时引进，已不仅是技术层面的抉择，更演变成一道严峻的市场命题。
8月11日，三星在一场会议上给出了明确答复：2纳米（SF2）与1.4纳米（SF1.4）工艺将沿用0.33 NA EUV设备，等到2030年前后问世的1纳米（A10）工艺，才会全面启用High-NA EUV进行量产。
这一决定意味着，继台积电公开表示暂缓采用High-NA设备之后，全球第二大晶圆厂三星也选择了收缩战线。
一、三星：2030年启动1纳米量产
韩国《ZDNet Korea》2026年8月11日的报道指出，在首尔举办的“2026下一代光刻与图案化学术会议（NGL 2026）”上，三星电子半导体研究院晶圆代工技术开发的朴昌民（Park Chang‑min）公开了公司的下一代光刻方案。
三星将高数值孔径极紫外光刻（High‑NA EUV）的商业化生产节点锁定在1纳米级（A10）工艺，预计将于2030年实现。
对于2纳米（SF2）和1.4纳米（SF1.4）的现阶段，三星打算继续借助0.33 NA（Low‑NA）EUV结合多重曝光（Multi‑Patterning）技术来维持生产。
谈及商业化时间的考量，朴昌民透露，三星曾评估提前在2纳米及1.4纳米节点使用High-NA EUV设备，不过由于High-NA EUV配套的光刻胶、掩模（Mask）、掩模保护膜（Pellicle）以及测量检验等产业链生态还不够成熟，再加上设备成本高昂、半场曝光（Half‑field）工艺会加大曝光频率和缺陷控制的难度，短期内强行量产必定会导致成本大幅增加。
因而，在2纳米到1.4纳米的工艺阶段，0.33 NA EUV多重曝光技术依旧具备最佳经济性和成熟工艺；一旦晶圆制程下降到1纳米之下，达到极高的图形分辨率将成为必要，High-NA EUV技术便不可或缺。
三星晶圆代工（Samsung Foundry）的工艺发展节点显示，三星已完成首代2纳米工艺的量产，计划于2029年正式开始1.4纳米（SF1.4）的量产，同时预计在2030年前后推出改良型SF1.4+和1纳米（A10）工艺。
在设备准备方面，三星于2025-2026年上半年在韩国华城研发基地安置了两台ASML EXE‑系列High-NA EUV测试设备。现阶段，这两台设备主要用于工艺参数评估、缺陷容忍度测试以及底层材料连通验证，尚未投入量产线，旨在为2030年1纳米节点的规模化生产积累技术。
三星官方路线图的明确化，让全球三大晶圆代工巨头在High-NA EUV技术的引入策略上显得愈发泾渭分明。
二、英特尔：18A率先试验，14A全面部署
英特尔的态度显得更为积极，外媒The Elec 7月份的消息透露，当三星和台积电还在犹豫时，英特尔已经把High-NA EUV技术用在了代号“黑豹湖”（Panther Lake）的18A工艺英特尔酷睿Ultra系列3处理器部分特定电路层的光刻上。ASML对此确认，这是半导体行业首次将High-NA EUV技术实施于大规模生产的逻辑器件。
Tom's Hardware报道，英特尔打算在即将到来的Intel 14A（1.4纳米级）节点全面应用High-NA EUV。英特尔的主要打算是，利用High-NA约8nm的单次曝光极限分辨率，直接替代传统设备所需的三到四次复杂多重曝光工
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